Апрель 7th, 2023 
raven000 При проходе с изготовления 40-нм микросхем памяти DRAM на 30-нм линейные габариты частей на кристалле поочередно выходило понижать на 5–10 hm. В процессе производства 20-нм DRAM шаг понижения масштаба технических общепризнанных мерок понижался на 2–3 hm. На данном раунде, к примеру, изготовители памяти в массе отказались приводить четкое значение технических общепризнанных мерок, пройдя на термин «класс». Так, 20-нм класс DRAM-продукции компании «Самсунг» включал поочередно изготовление памяти с общепризнанными мерками 28, 25, 23 и 20 hm.
Со стартом производства памяти класса 10 hm падение прямолинейных габаритов понижено до шага 1 hm. Организация «Самсунг» и прочие изготовители DRAM серьезно подходят к препятствию, после которого падение масштаба техпроцесса нельзя либо затруднено по финансовым суждениям. Предполагается, что препятствием будет изготовление памяти с общепризнанными мерками 15 hm. Однако на раунде производства 18-нм памяти организация «Самсунг» встретилась с проблемами.
Напоминаем, в прошлом месяце было обнародовано, что «Самсунг» отозвала партию модулей памяти для компьютеров, произведенных на базе 18-нм 8-Гбит чипов DRAM. Память с общепризнанными мерками 18 hm организация производит приблизительно 1 год. Весь минувший год на 18-нм чипсетах в основном выпускались модули памяти для серверного рынка. Глобальный выпуск модулей памяти для компьютеров на базе 18-нм микросхем DRAM стартовал в начале I квартала 2016 года. Когда пошла «домашняя» сцена, вырисовалась неприятность.
Данная неприятность носит суммарный характер и сопряжена она с тем, что такой элемент ячеи памяти, как конденсатор, просто так больше невозможно снизить в габаритах. Обоюдные преграды и небольшая ёмкость мельчающих в габаритах конденсаторов и их уплотнение на кристалле ведут к появлению перебоев в работе. Для надёжной работы памяти, произведенной с большими техническими общепризнанными мерками, нужны свежие элементы и новая конструкция ячеи.
По известию представителей «Самсунг», в компании ведётся разработка 17-нм памяти DRAM, которая будет окончена до конца 2016 года. Глобальный выпуск 17-нм памяти запланирован на 2015 год. Также в 2016 году основной памятью, производимой на чертах «Самсунг», будет память с общепризнанными мерками 18 hm. Сегодня организация широко производит кристаллы DRAM с общепризнанными мерками 20 hm.
wsj.com
В 2020 году либо немного позднее «Самсунг» начнёт выпуск 16 hm микросхем DRAM. Экспериментальная бригада для этого сформирована. Следующей на очереди будет 15-нм память, однако пока для неё ведётся лишь поиск оптимальных элементов. Разработка ещё не начата. После этого «Самсунг» собирается поочередно спроектировать ещё 4 поколения 10-нм памяти и не обязательно, что организация будет применять целые числа для понижения прямолинейных масштабов изготовления.
Пока для нас, подведение барьера, который не дает возможность без проблем и просто понизить размер технических общепризнанных мерок при производстве DRAM, обозначает, что увеличивать объёмы производства без внедрения свежих полос становится просто нельзя. Как бы там ни было, изготовители будут опаздывать за спросом, что привело и ещё приведёт к резкому увеличению расценок наизусть вида DRAM.
Опубликовано в рубрике 
