Главные новости мира

За твердотельными накопителями будущее, это понятно давно. Машинные накопители имеют ряд важно присущих минусов, потому большие источники создателей покинуты на образование всё не менее производительных, объёменьших и надёжных дисков на основе энергонезависимой памяти. Так, на событии Cloud Expo Europe, прошедшем в Лондоне, компания «Самсунг» показала свежие накопители под маркой Z-SSD, оснащённые разъёмами PCI Экспресс 3.0 x8. В первый раз макеты этих механизмов были представлены ещё на Flash Memory Summit в начале августа 2016 года, однако всё, что было о них тогда известно, это то, что основываются они на новой памяти Z-NAND, основной собственную генеалогическую от четвёртого поколения V-NAND. На выставке Cloud Expo было обнародовано больше.

Так Z-SSD смотрится на вид. По всей видимости, накопитель нуждается в серьёзном замораживании

Прежде всего, пока Z-SSD имеют объём всего 800 Гигабайт и будут предлагаться лучшим заказчикам компании как раз в подобном виде. Раньше ожидались также модификации объёбог 1, 2 и 4 Тбайт, однако «Самсунг» аналогичных механизмов не продемонстрировала и вообще нет свойств того, что она рассчитывает в ближайшее время выпустить Z-SSD с такой ёмкостью. Произойдёт ли это в сколько-либо видимом будущем, можно только полагать. Свежие накопители требуют автомата PCIe 3.0 по меньшей мере с 4-мя чертами, однако сам разъем у них имеет машинальный конструктив x8 — это видно на фотографиях. Компания-разработчик утверждает, что скрытность Z-SSD (вероятно, на операциях чтения) на 70 % ниже, чем у стандартных решений с внешним видом NVMe. Судя по всему, свежий накопитель назначен для тех сфер использования, где минимизация задержек считается одним из самых важных характеристик; например, для баз данных класса mission critical.

Основной конкурент: «Самсунг» PM963

На прямолинейных операциях Z-SSD опирается в возможности внешнего вида PCIe 3.0 x4: и при записи, и при чтении он может развивать скорость до 3,2 Гигабайт/с. А с мощностью на невольных операциях картина косая: 750 миллионов IOPS при чтении невольными блоками объёбог 4 Кб и только до 160 миллионов IOPS при аналогичных операциях записи. Организация сообщила, что Z-SSD имеет эксклюзивный внешний вид, включая внешний вид контроллера, предоставивший ему вчетверо уменьшить задержки и в 1,6 раза поднять скорость поочередного чтения по сравнению с «Самсунг» PM963 NVMe. Не менее о новинке пока неизвестно ничего: мы не знаем даже, сколько значений имеет любая клетка Z-NAND. Повторимся, известно только то, что сама конструкция Z-NAND взята у четвёртого поколения V-NAND. На данный момент отвесная «стопа» ячей V-NAND имеет минимум 64 пласта при ёмкости 512 Гбит, но ёмкость всего кристалла равна 64 Гигабайт. Характеристики 3D XPoint, общей подготовки Intel и Micron, скромнее — 2 скрещенных пласта совместной ёмкостью 128 Гбит и 16 Гигабайт на микролит как следствие, что и разъясняет хорошую стоимость и рисую ёмкость решений на основе 3D XPoint.